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标题
A Low-Reverse-Recovery-Charge Superjunction MOSFET With P-Base and N-Pillar Schottky Contacts
具有P基和N柱肖特基接触的低反向恢复电荷超结MOSFET
相关领域
肖特基二极管 材料科学 光电子学 肖特基势垒 MOSFET 金属半导体结 二极管 晶体管 电气工程 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2974904
DOI
10.1109/ted.2020.2974904 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Ping Li; Jingwei Guo; Zhi Lin; Shengdong Hu; Cong Shi; et al
出版日期：2020-03-04
求助人
帅帅哈 在 2025-06-09 13:55:42 发布自陕西，悬赏 10 积分
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