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Comparison of H<sup>+</sup> and He<sup>+</sup> implant isolation of GaAs‐based heterojunction bipolar transistors
GaAs基异质结双极晶体管H+和He+注入隔离的比较
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Comparison of H<sup>+</sup> and He<sup>+</sup> implant isolation of GaAs‐based heterojunction bipolar transistors 作者:Pearton,S.,J.,Abernathy,C.,R.,Lee,J.,W.,Ren DOI:10.1116/1.587975 |
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