| 标题 |
 Wannier orbitals and bonding properties of interstitial and antisite defects in GaN GaN中间隙缺陷和反位缺陷的Wannier轨道和成键性质
相关领域
Wannier函数
原子轨道
材料科学
密度泛函理论
凝聚态物理
放松（心理学）
分子物理学
分子轨道
化学物理
计算化学
化学
物理
分子
量子力学
电子
社会心理学
心理学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Fei Gao; Eric J. Bylaska; Anter El–Azab; William J. Weber 出版日期：2004-12-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
BowieHuang
shhoing
Criminology34
GingerF
nPgA2o
VDC
殷勤的紫槐
kk
无极微光
昏睡的蟠桃
走啊走
Wuyt
tuanheqi
mmyhn
NexusExplorer
MiaMia
yipmyonphu
英姑
yyds
ccm
何柯
pluto
junlin
老实的皮卡丘
皖公网安备34019202002308
