| 标题 |
Multi-Temperature RF GaN HEMT Model Using the ASM Industry Standard 使用ASM行业标准的多温度RF GaN HEMT模型
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
无线电频率
宽禁带半导体
氮化镓
材料科学
电子工程
计算机科学
电气工程
晶体管
纳米技术
电信
工程类
图层(电子)
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Inayat Hussain Wani; Zeeshan Gulzar; Misbah Noor; Zarak Bhat; Sheikh Aamir Ahsan 出版日期:2024-12-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)