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P-Type α-CuGaO2Electronics: A Study on Gap States and Fermi Level Pinning and a Solution to Schottky to Ohmic Transition for Electronic Applications
P型α-CuGaO2电子学：间隙态和费米能级钉扎的研究以及电子应用中肖特基到欧姆跃迁的解决方案
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c00807
DOI
10.1021/acsaelm.2c00807 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Masoud Abrari; Shahab Sharifi Malvajerdi; Majid Ghanaatshoar; Haiding Sun; Seyed Majid Mohseni
出版日期：2022-10-04
求助人
黑山老妖 在 2025-08-12 19:04:01 发布自江苏，悬赏 10 积分
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