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![]() 等离子体辅助分子束外延氮化硅阴影选择性区域生长低缺陷密度垂直GaN台面
相关领域
材料科学
分子束外延
等离子体
氮化物
光电子学
硅
宽禁带半导体
氮化硅
氮化镓
外延
纳米技术
图层(电子)
物理
量子力学
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其它 |
期刊:APL Materials 作者:Matthew Landi; Frank P. Kelly; Riley E. Vesto; Kyekyoon Kim 出版日期:2024-10-01 |
求助人 |
holly
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2025-08-19 18:54:48 发布,悬赏 10 积分
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