| 标题 |
  Silicon nitride shadowed selective area growth of low defect density vertical GaN mesas via plasma-assisted molecular beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延氮化硅阴影选择性区域生长低缺陷密度垂直GaN台面
相关领域
材料科学
分子束外延
等离子体
氮化物
光电子学
硅
宽禁带半导体
氮化硅
氮化镓
外延
纳米技术
图层（电子）
量子力学
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：APL Materials 作者：Matthew Landi; Frank P. Kelly; Riley E. Vesto; Kyekyoon Kim 出版日期：2024-10-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
潇洒的惋清
Copyright
无极微光
Kao
GingerF
加菲丰丰
毛豆
林金花
Nole
东方元语
OK
清爽芾
Oracle
asdfqwer
清秀的机器猫
mathmotive
皖公网安备34019202002308
