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 Manifestations of Resonant-Tunneling Processes and Random Potential Fluctuations with the Participation of Quantum-Dot Levels in the Photocurrent Relaxation of p–i–n GaAs/AlAs Heterostructures p-i-n GaAs/AlAs异质结构光电流弛豫中量子点能级参与的共振隧穿过程和随机势涨落的表现
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放松（心理学）
物理
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期刊：Semiconductors 作者：Yu. N. Khanin; Е. Е. Вдовин 出版日期：2021-11-01 |
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