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 Hydrogen depth profiling and multi-energy proton implantation: SIMS as a tool for implant process control 氢深度剖面和多能质子注入：SIMS作为注入过程控制的工具
相关领域
材料科学
离子注入
硅
兴奋剂
仿形（计算机编程）
二次离子质谱法
氢
扩展阻力剖面
分析化学（期刊）
离子
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色谱法
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有机化学
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Orazio Samperi; Lasse Vines; Mario Pietro Bertolini; Massimiliano Cantiano; Salvo Coffa; et al 出版日期：2024-02-10 |
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绵绵球
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