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  Influence of the bias voltage on the photoluminescence intensity and spectral responsivity of the GaN Schottky barrier photodetector 偏压对GaN肖特基势垒光电探测器光致发光强度和光谱响应度的影响
相关领域
光致发光
材料科学
响应度
光电子学
光电探测器
肖特基势垒
偏压
带隙
肖特基二极管
光学
电压
物理
二极管
量子力学
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| 其它 |
期刊：Optical Materials Express 作者：Baibin Wang; Zongshun Liu; Degang Zhao; Feng Liang; Jing Yang; et al 出版日期：2021-04-28 |
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