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 Homoepitaxial growth of AlN layers using by metalorganic vapor phase epitaxy on freestanding AlN substrate 用金属有机气相外延在独立AlN衬底上同质外延生长AlN层
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期刊：Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE 作者：Tomohiro Morishita; Motoaki Iwaya; Tetsuya Takeuchi; Satoshi Kamiyama; Isamu Akasaki 出版日期：2014-03-08 |
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