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P-GaN-gate GaN power high-electron mobility transistors with Mg-acceptor Re-passivation realized by ammonia plasma treatment 氨等离子体处理实现镁受体再钝化的P-GaN栅GaN功率高电子迁移率晶体管
相关领域
钝化
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
晶体管
等离子体
接受者
氨
化学
纳米技术
电气工程
凝聚态物理
物理
图层(电子)
电压
工程类
有机化学
量子力学
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| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Zhaofeng Wang; Jin Li; Zhihong Liu; Xiaojin Chen; Mei Xu; et al 出版日期:2024-10-21 |
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