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Comment on “The observation of Gaussian distribution and origination identification of deep defects in AlGaN/GaN MIS-HEMT” [Appl. Phys. Lett. 120, 172107 (2022)] 对“AlGaN/GaN MIS-HEMT中高斯分布的观察和深缺陷的起源识别”的评论[Appl。物理。列特。120,172107(2022)]
相关领域
高电子迁移率晶体管
起源
高斯分布
鉴定(生物学)
光电子学
材料科学
物理
凝聚态物理
计算机科学
生物
晶体管
量子力学
电信
植物
电压
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期刊:Applied Physics Letters 作者:K. Thonke 出版日期:2022-08-04 |
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