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 High Breakdown Voltage GaN Schottky Diodes for THz Frequency Multipliers 用于THz倍频器的高击穿电压GaN肖特基二极管
相关领域
肖特基二极管
材料科学
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Giuseppe Di Gioia; Éric Frayssinet; Mohammed Samnouni; Vinay Chinni; Priyanka Mondal; et al 出版日期：2023-05-19 |
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