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 Inverse design of GaN HEMT heterostructures via deep learning with enhanced auto-encoder framework 基于深度学习和增强型自动编码器框架的GaN HEMT异质结构逆设计
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
异质结
反向
编码器
光电子学
电子工程
晶体管
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期刊：Materials today communications 作者：Wei Shu; Meilan Hao; Lina Yu; Weijun Li; Linjun Sun; et al 出版日期：2025-05-01 |
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