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 Nonmonotonic Instability of V TH and R ds,on in 650 V Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs Under Short-Circuit: The Effect of Electric Field and Thermal Dynamics 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Long Wang; Jinggui Zhou; Ning Yang; Yunxiang Xing; Shuting Huang; et al 出版日期：2025-11-25 |
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