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 High‐Performance GaN HEMTs with ION/IOFF ≈1010 and Gate Leakage Current <10−11 A mm−1 Using Ta2O5 Dielectric 相关领域
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期刊：Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者：Bhanu B. Upadhyay; Sreenadh Surapaneni; Yogendra Yadav; Navneet Bhardwaj; Netaji Suvachintak; et al 出版日期：2022-04-23 |
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