| 标题 |
First-principles exploration of alternative gate dielectrics: Electronic structure ofZrO2/SiandZrSiO4/Siinterfaces |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Physical Review B 作者:Ragesh Puthenkovilakam; Emily A. Carter; Jane P. Chang 出版日期:2004-04-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)