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Simulation Study of Enhancement-Mode HEMTs with Graded AlGaN Barriers and GaN/InGaN Double Quantum Well Caps |
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期刊:Semiconductors 作者:Xiang-Yu Liu; Li-E Cai; Yi-Fei Chen; Zhi-Yu Ma; Da Feng; et al 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)