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Numerical simulation of vertical tunnelling field-effect transistors charge-trapping memory with TCAD tools
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Yang Cao; Guoliang Tian; Majumdar Sandip; Jinshun Bi; Kai Xi; Bo Li 出版日期:2021 |
求助人 |
研友_pLw6o8 在
2021-06-29 10:21:38 发布,悬赏 10 积分
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