Numerical simulation of vertical tunnelling field-effect transistors charge-trapping memory with TCAD tools

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作者
Yang Cao,Guoliang Tian,Majumdar Sandip,Jinshun Bi,Kai Xi,Bo Li
出处
期刊:Semiconductor Science and Technology [IOP Publishing]
标识
DOI:10.1088/1361-6641/abe0f6

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