Epitaxial growth of heavily P-doped Si films at 450 °C by alternately supplied PH3 and SiH4

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标题	[高分] Epitaxial growth of heavily P-doped Si films at 450 °C by alternately supplied PH3 and SiH4 相关领域外延兴奋剂分析化学（期刊）化学气相沉积电阻率和电导率退火（玻璃）化学电阻式触摸屏分压二硅烷解吸吸附材料科学矿物学硅光电子学氧气复合材料电气工程物理化学色谱法有机化学图层（电子）工程类
网址	https://doi.org/10.1051/jp4:2001332
DOI	10.1051/jp4:2001332 doi
其它	期刊：Journal de physique 作者：Y. Shimamune; Masao Sakuraba; Takeshi Matsuura; Junichi Murota 出版日期：2001-08-01
求助人	cjw1997 在 2023-03-04 20:29:14 发布自福建，悬赏 50 积分
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