Control of silicon dioxide etching rate in hydrogen microwave plasma by addition of oxygen

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标题	Control of silicon dioxide etching rate in hydrogen microwave plasma by addition of oxygen 相关领域二氧化硅氧气蚀刻（微加工）氢微波食品加热材料科学等离子体硅等离子体刻蚀化学工程化学分析化学（期刊）纳米技术光电子学冶金环境化学计算机科学工程类有机化学物理电信量子力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.155834
DOI	10.1016/j.apsusc.2022.155834 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：V.Yu. Yurov; A.P. Bolshakov; I.A. Fedorova; A.F. Popovich; K.N. Zyablyuk; et al 出版日期：2022
求助人	online1881 在 2022-11-26 20:23:17 发布自江苏，悬赏 10 积分
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