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 High-Speed Switching and Giant Electroresistance in an Epitaxial Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Tunnel Junction Memristor 相关领域
材料科学
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记忆电阻器
神经形态工程学
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Xinzhe Du; Haoyang Sun; He Wang; Jiankun Li; Y Yin; et al 出版日期：2021-12-27 |
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