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 Surface morphology evolution of N-polar GaN on SiC for HEMT heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延生长HEMT异质结构SiC上N极性GaN的表面形貌演变
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期刊：Journal of Physics D 作者：Lili Huo; Ravikiran Lingaparthi; N. Dharmarasu; K. Radhakrishnan; Casimir Chan 出版日期：2023-05-19 |
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