First Implementation of Edge‐Contacted α‐In2Se3 Ferroelectric Semiconductor Field‐Effect Transistors and their Application to Artificial Heterosynapse

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标题	First Implementation of Edge‐Contacted α‐In2Se3 Ferroelectric Semiconductor Field‐Effect Transistors and their Application to Artificial Heterosynapse
网址	https://doi.org/10.1002/smll.202504842
DOI	10.1002/smll.202504842 doi
其它	期刊：Small 作者：Jong‐Hyun Kim; Seung‐Hwan Kim; Euyjin Park; Hyung‐Jun Kim; Jeong‐Kyu Kim; Hyun‐Yong Yu 出版日期：2025
求助人	RY 在 2026-06-22 14:35:59 发布自山东，悬赏 10 积分
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