2 kV β -Ga2O3 Schottky diode with HfO2/SiO2 dual-layer field plate and mesa termination

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标题	2 kV β -Ga2O3 Schottky diode with HfO2/SiO2 dual-layer field plate and mesa termination
网址	https://doi.org/10.1063/5.0287147
DOI	10.1063/5.0287147 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Linhai Zhong; Xin Feng; Weihang Zhang; Xianhe Liu; Hong Zhou; et al 出版日期：2025-11-03
求助人	王泽在 2026-08-14 19:35:26 发布自上海，悬赏 10 积分
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