Engineered interface states and optical absorption of β-Ga2O3/4H-SiC heterojunctions by irradiation-induced oxygen defects from first-principles

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标题	Engineered interface states and optical absorption of β-Ga2O3/4H-SiC heterojunctions by irradiation-induced oxygen defects from first-principles
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2024/TC/D3TC04768G
DOI	10.1039/d3tc04768g doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Xiaoning Zhang; Xi Liang; Haoyu Dong; Jia-Yue Yang; Linhua Liu 出版日期：2024-02-07
求助人	蒋好在 2026-06-25 09:42:16 发布自河南，悬赏 10 积分
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