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标题
The Effect of Shallow Trench Isolation and Sinker on the Performance of Dual-Gate LDMOS Device
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DOI
10.1109/ted.2018.2881918 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:S. Chahar; G. M. Rather; Najeeb ud din HAKIM
出版日期:2019-01-01
求助人
hong 在 2026-08-12 10:52:29 发布自重庆,悬赏 10 积分
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