A Trenched Ge-on-Si SPAD With Low Dark Current Utilizing Aspect Ratio Trapping Technology

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标题	A Trenched Ge-on-Si SPAD With Low Dark Current Utilizing Aspect Ratio Trapping Technology
网址	https://doi.org/10.1109/jsen.2025.3567580
DOI	10.1109/jsen.2025.3567580 doi
其它	期刊：IEEE Sensors Journal 作者：Yanmeng Chu; Zeng Chen; Hanchen Zhu; Yunyan Zhang; Zhiyuan Cheng 出版日期：2025-05-12
求助人	无风在 2026-07-16 15:27:02 发布自北京，悬赏 10 积分
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