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Towards a Low-Disorder pFET Gate Stack for Monolayer WSe2 Channels |
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期刊:International Electron Devices Meeting 作者:T. D. Ngo; G. Arutchelvan; S. Chou; Z. Lin; R. K. Grubbs; et al 出版日期:2025-12-06 |
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(2025-6-4)