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  Tunable hydrogen evolution reaction of vacancy-defective MoSe2/WSe2 heterojunctions based on first-principle calculation 相关领域
异质结
空位缺陷
材料科学
费米能级
氢
密度泛函理论
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化学物理
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期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Xi Chen; Huating Liu; Shenrui Zhang; Xiang Qi; Jianxin Zhong; Zongyu Huang 出版日期：2023-12-12 |
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