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 Enhanced Synaptic Characteristics under Applied Magnetic Field in V2O5/NiMnIn-Based Switching Device for Neuromorphic Computing 基于V2O5/NiMnIn的神经形态计算开关器件在外加磁场下增强的突触特性
相关领域
神经形态工程学
材料科学
电阻随机存取存储器
光电子学
热传导
记忆电阻器
电压
计算机科学
电气工程
复合材料
人工智能
人工神经网络
工程类
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Kumar Kaushlendra; Davinder Kaur 出版日期：2023-06-14 |
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