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 Heavy ion and proton induced single event upsets in 3D SRAM 三维SRAM中重离子和质子诱导的单事件扰动
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Z. Y. He; Chang Cai; T.Q. Liu; Bing Ye; Li-Hua Mo; et al 出版日期：2020-10-31 |
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