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![]() InP(0 0 1)衬底上拉伸应变In0.39Ga 0.61 As和GaAs0.64Sb 0.36层结构和光致发光性能的比较研究
相关领域
光致发光
材料科学
图层(电子)
光电子学
拉伸应变
衍射
砷化镓
极限抗拉强度
纳米技术
复合材料
光学
物理
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Manabu Mitsuhara; Takahiro Gotow; Takuya Hoshi; Hiroki Sugiyama; Mitsuru Takenaka; et al 出版日期:2020-11-29 |
求助人 |
shaozm
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2025-08-27 18:13:03 发布,悬赏 10 积分
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