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 Fabrication and Characterization of 3.3-kV SiC DMOSFET with Self-Aligned Channels Formed by Tilted Ion Implantation 倾斜离子注入自对准沟道3.3 kV SiC DMOSFET的制备与表征
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期刊：Materials science forum 作者：Takahiro Morikawa; Shintaroh Sato; Akio Shima 出版日期：2019-07-19 |
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