N2 gas flow rate dependence on the high-k LaB x N y thin film characteristics formed by RF sputtering for floating-gate memory applications

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标题	N2 gas flow rate dependence on the high-k LaB x N y thin film characteristics formed by RF sputtering for floating-gate memory applications N2气体流速对用于浮栅存储器应用的射频溅射形成的高k LaB x N y薄膜特性的依赖性相关领域溅射体积流量分析化学（期刊）材料科学兴奋剂薄膜纳米技术化学光电子学物理色谱法量子力学
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/abe5c3
DOI	10.35848/1347-4065/abe5c3 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Kyung Eun Park; Hideki Kamata; Shun-ichiro Ohmi 出版日期：2021-02-12
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