An Investigation into the Causes of C OSS Losses in GaN-on-Si HEMTs

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标题	An Investigation into the Causes of C OSS Losses in GaN-on-Si HEMTs GaN-on-Si HEMTs中C OSS损耗原因的研究相关领域材料科学高电子迁移率晶体管光电子学氮化镓宽禁带半导体晶体管
网址	https://doi.org/10.1109/compel.2019.8769661
DOI	10.1109/compel.2019.8769661 doi
其它	期刊：Workshop on Control and Modeling for Power Electronics 作者：Jia Zhuang; Grayson Zulauf; Jaume Roig; James D. Plummer; Juan Rivas-Davila 出版日期：2019-06-17
求助人	zlren 在 2025-05-05 21:33:34 发布自江苏，悬赏 10 积分
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