С использованием универсального подхода для суб-100-нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учетом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации параметров проиллюстрированы на примерах расчета ВАХ суб-100-нм МОП-транзисторов.