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标题
Center Potential Based Analysis of Si and III-V Gate all around Field Effect Transistors (GAA-FETs)
相关领域
材料科学 光电子学 晶体管 兴奋剂 量子电容 场效应晶体管 线性 电容 电压 电气工程 物理 电极 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-020-00559-2
DOI
10.1007/s12633-020-00559-2 doi
其它 期刊：Silicon
作者：Yogesh Kumar Verma; Santosh Kumar Gupta
出版日期：2020-07-06
求助人
ren 在 2026-11-12 19:57:02 发布自中国，悬赏 10 积分
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    斯文败类 斯文败类 Lv11 上传了文件

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  • 6小时前

    科研通AI2.0 科研通AI2.0 机器人 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载

    19:57:06 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载
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  • 6小时前

    ren ren Lv4 求助人 发起了本次求助

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