| 标题 |
Polarization-State-Dependent Charge Screening in Metal–Ferroelectric–Metal Memcapacitors Enabled by an IGZO Oxygen Reservoir Layer 相关领域
材料科学
神经形态工程学
堆栈(抽象数据类型)
图层(电子)
铁电性
光电子学
极性(国际关系)
电容感应
非易失性存储器
电荷(物理)
氧气
降级(电信)
纳米技术
理论(学习稳定性)
电阻随机存取存储器
国家(计算机科学)
边距(机器学习)
油藏计算
磁滞
电极
记忆电阻器
薄脆饼
工作(物理)
不对称
电压
电子工程
人工神经网络
活动层
产量(工程)
修剪
电阻式触摸屏
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Donghyeon Kim; Huiseong Shin; Junseok Kim; Hyeonjung Park; Changwoo Han; et al 出版日期:2026-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)