Location identify of EC-0.9 eV trap in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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标题	Location identify of EC-0.9 eV trap in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
网址	https://doi.org/10.1016/j.nimb.2022.11.014
DOI	10.1016/j.nimb.2022.11.014 doi
其它	期刊：Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-beam Interactions With Materials and Atoms 作者：Pengfei Wan; Jianqun Yang; Hao Jiang; Yadong Wei; Kai Wang; et al 出版日期：2022-12-09
求助人	Yummerwei 在 2026-10-17 14:37:29 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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