InGaAs Tunneling Field-Effect-Transistors With Atomic-Layer-Deposited Gate Oxides

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标题	InGaAs Tunneling Field-Effect-Transistors With Atomic-Layer-Deposited Gate Oxides 具有原子层沉积栅氧化物的InGaAs隧穿场效应晶体管相关领域量子隧道物理拓扑（电路）电气工程光电子学工程类
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2011.2159385
DOI	10.1109/ted.2011.2159385 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhewen Han; Yu Chen; Y. Wang; Fei Zhou; Fei Xue; et al 出版日期：2011-09-01
求助人	纯情的老鼠在 2024-03-27 10:11:51 发布自陕西，悬赏 10 积分
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