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标题
1-bit full adder design using next generation semiconductor devices and performance benchmarking at low supply voltages
使用下一代半导体器件的1位全加器设计及低电源电压性能基准测试
相关领域
加法器 电子工程 晶体管 泄漏(经济) 计算机科学 电子线路 阈下传导 超大规模集成 MOSFET 电气工程 电压 CMOS芯片 工程类 宏观经济学 经济
网址
DOI
10.1007/s13198-023-02181-y doi
其它 期刊:International journal of system assurance engineering and management
作者:S. Lakshmanachari; Sadulla Shaik; G. S. R. Satyanarayana; Inapudi Vasavi; Vallabhuni Vijay; et al
出版日期:2023-10-25
求助人
kk 在 2024-05-14 12:15:30 发布自浙江,悬赏 10 积分
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求助 / 应助时间线
  • 1年前,求助关闭

    kk kk Lv3 求助人 关闭了本次求助。

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  • 1年前

    kk kk Lv3 求助人 发起了本次求助

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