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TCAD Optimisation of 4H-SiC Channel-Doped MOSFET with P-Polysilicon Gate |
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期刊:Materials Science Forum 作者:Kazuhiro Adachi; C. Mark Johnson; Kazuo Arai; Kenji Fukuda; Shinsuke Harada; Takashi Shinohe 出版日期:2009-03-12 |
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