A benchmark of co-flow and cyclic deposition/etch approaches for the selective epitaxial growth of tensile-strained Si:P

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标题	A benchmark of co-flow and cyclic deposition/etch approaches for the selective epitaxial growth of tensile-strained Si:P
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa82d4
DOI	10.1088/1361-6641/aa82d4 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：J M Hartmann; M Veillerot; B Prévitali 出版日期：2017
求助人	高半青在 2026-05-29 23:05:33 发布自广东，悬赏 10 积分
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