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 Stacked SiGe/Si I/O FinFET device preparation in a vertically stacked gate-all-around technology 垂直堆叠栅全能技术中堆叠SiGe/Si I/O FinFET器件的制备
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Fei Zhao; Yan Li; Huai-Zhi Luo; Xiaofeng Jia; Jiayi Zhang; et al 出版日期：2023-05-27 |
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FebrisY
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