Stacked SiGe/Si I/O FinFET device preparation in a vertically stacked gate-all-around technology

材料科学 光电子学 退火(玻璃) 原子层沉积 电介质 高-κ电介质 栅极电介质 图层(电子) 电容 电压 纳米技术 电气工程 复合材料 晶体管 化学 工程类 电极 物理化学
作者
Fei Zhao,Yan Li,Huai-Zhi Luo,Xiaofeng Jia,Jiayi Zhang,Xiaotong Mao,Yongliang Li
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:164: 107634-107634 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107634
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