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 A 4-bit 4.5-ns-Latency Pseudo-ReRAM Computing-In-Memory Macro With Self Error-Correcting DTC-Based WL Drivers and 6-bit CDAC-Less Column ADCs Having Ultra-Narrow Pitch 一种4位4.5 ns延迟伪ReRAM内存计算宏，具有基于自纠错DTC的WL驱动器和具有超窄间距的6位无CDAC列ADC
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电阻随机存取存储器
计算机科学
CMOS芯片
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栏（排版）
逐次逼近ADC
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期刊：IEEE Transactions on Circuits & Systems II Express Briefs 作者：Jong-Ho Kim; Young H. Oh; Hyeonsik Kim; Jae W. Lee; Jintae Kim 出版日期：2023-06-14 |
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