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 Development of Fully ZnO-Based 16 × 16 1S1R RRAM Crossbar Array and Performance Investigations 全ZnO基16 × 161S1R RRAM交叉阵列的研制及性能研究
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：T.S. Wang; Cheng-Ying Li; Po-An Shih; Jihong Wang; Kuan-Lin Yeh; et al 出版日期：2025-03-31 |
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