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标题
Ultrathin Interfacial Layer and Pre-Gate Annealing to Suppress Virtual Gate Formation in GaN-Based Transistors: The Impact of Trapping and Fluorine Inclusion
抑制GaN基晶体管虚栅极形成的超薄界面层和预栅极退火：陷阱和氟夹杂的影响
相关领域
退火（玻璃） 材料科学 光电子学 晶体管 俘获 欧姆接触 阈值电压 纳米技术 图层（电子） 电气工程 电压 复合材料 生态学 生物 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/led.2022.3203291
AI链接 handle.netdoi.org
DOI
10.1109/led.2022.3203291 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Oğuz Odabaşı; Amir Ghobadi; T. Gamze Ulusoy Ghobadi; Bayram Bütün; Ekmel Özbay
出版日期：2022-08-31
求助人
sheyiness 在 2025-12-05 16:00:49 发布自浙江，悬赏 10 积分
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